Дистрибуция электронных компонентов
IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Номер компонента:
IRF100B202
Альтернативная модель:
2EDF7275FXUMA2,IRFB4410ZPBF,2ED2103S06FXUMA1,PDSE1-S12-S12-S,IRF100B201,IRF1405PBF,1EDN7512BXTSA1,IRS10752LTRPBF,1ED44173N01BXTSA1,6EDL04N02PRXUMA1,IRS21271STRPBF,IRS4427STRPBF,2ED2184S06FXUMA1,2EDL23N06PJXUMA1,2ED2110S06MXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
РОХС:
YES
IRF100B202 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет устройств поставщика:
TO-220AB
Пакет/кейс:
TO-220-3
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.):
221W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
116 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
97A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
8.6mOhm @ 58A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4476 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:3600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
2.35
2.35
10
1.96
19.6
100
1.55
155
500
1.32
660
1000
1.11
1110
2000
1.06
2120
5000
1.02
5100
10000
0.99
9900
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.