Дистрибуция электронных компонентов
IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Номер компонента:
IXTH1N200P3HV
Альтернативная модель:
G2R1000MT33J,IXTH3N200P3HV,ZXGD3005E6TA,IXTH02N250,R4000GPS-TP,5ST 10-R,1N4007FL,Z4KE100A-E3/54,CSV-PQ50/50-1S-12P,0217015.MXEP,PQ50/50-3C95,Z4KE150A-E3/54
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
РОХС:
YES
IXTH1N200P3HV Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
125W (Tc)
Пакет/кейс:
TO-247-3 Variant
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-247HV
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
23.5 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
2000 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
40Ohm @ 500mA, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
646 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1877
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
9.97
9.97
30
7.95
238.5
120
7.12
854.4
510
6.28
3202.8
1020
5.65
5763
2010
5.29
10632.9
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.