Дистрибуция электронных компонентов
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Номер компонента:
IXTA1N200P3HV
Альтернативная модель:
IXTT1N250HV,APT9M100S,IXTH3N200P3HV,STN0214,IXBK55N300,G2R1000MT17J,STW3N170,0ADAP4000-RE,IXTT2N300P3HV,IXBX55N300,IXTT1N300P3HV,DSPIC33FJ64MC802-I/MM,UF4010G_AY_00001,ZXGD3005E6TA,IXTA02N250HV,IXTA1N200P3HV-TRL
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
РОХС:
YES
IXTA1N200P3HV Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (макс.):
125W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-263AA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
23.5 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
2000 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
40Ohm @ 500mA, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
646 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2752
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
10.35
10.35
50
8.26
413
100
7.39
739
500
6.52
3260
1000
5.87
5870
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.