Дистрибуция электронных компонентов
FGA30T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
Номер компонента:
FGA30T65SHD
Альтернативная модель:
NCD57000DWR2G,NCD5700DR2G,MIW40N65RA-BP,FGA40T65SHD,SIHP6N40D-BE3,IHW40N65R6XKSA1,IKFW40N65ES5XKSA1,STLINK-V3MODS,NUCLEO-H743ZI2,MOC3053SM,LNK3696G-TL,ATDS3534UV405B,ABM8-27.120MHZ-10-D1G-T
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Описание:
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
РОХС:
YES
FGA30T65SHD Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Пакет/кейс:
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода:
Standard
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
650 V
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
60 A
Ток-коллекторный импульсный (Icm):
90 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 30A
Пакет устройств поставщика:
TO-3PN
Мощность - Макс.:
238 W
Время обратного восстановления (trr):
31.8 ns
Условия испытания:
400V, 30A, 6Ohm, 15V
Переключение энергии:
598µJ (on), 167µJ (off)
Заряд от ворот:
54.7 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C:
14.4ns/52.8ns
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.