Дистрибуция электронных компонентов
SIHP12N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Номер компонента:
SIHP12N50E-GE3
Альтернативная модель:
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
РОХС:
YES
SIHP12N50E-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика:
TO-220AB
Пакет/кейс:
TO-220-3
ВГС (Макс):
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
500 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
114W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
10.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
380mOhm @ 6A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
886 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
1.97
1.97
50
1.58
79
100
1.3
130
500
1.1
550
1000
0.94
940
2000
0.89
1780
5000
0.86
4300
10000
0.83
8300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.