Дистрибуция электронных компонентов
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Номер компонента:
SIHB33N60EF-GE3
Альтернативная модель:
SIHP080N60E-GE3,SIHB30N60E-GE3,SIHB33N60E-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
РОХС:
YES
SIHB33N60EF-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
278W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
33A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
98mOhm @ 16.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3454 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2332
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
6.88
6.88
10
5.9
59
100
4.91
491
1000
3.91
3910
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.