Дистрибуция электронных компонентов
R6030ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Номер компонента:
R6030ENZ1C9
Альтернативная модель:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
РОХС:
YES
R6030ENZ1C9 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Пакет/кейс:
TO-247-3
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2100 pF @ 25 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 1mA
Пакет устройств поставщика:
TO-247
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
120W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
130mOhm @ 14.5A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.