Дистрибуция электронных компонентов
IRF9389PBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Номер компонента:
IRF9389PBF
Альтернативная модель:
IRF9389TRPBF,LT3010EMS8E-5#PBF,TC6320K6-G,TPS82084SILR
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
РОХС:
YES
IRF9389PBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика:
8-SO
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация:
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Макс.:
2W
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
14nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.3V @ 10µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6.8A, 4.6A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
27mOhm @ 6.8A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
398pF @ 15V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.