Дистрибуция электронных компонентов
TPN7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Номер компонента:
TPN7R506NH,L1Q
Альтернативная модель:
TSR 2-2490,TPN11006PL,LQ,LM5109BSD/NOPB,AD8206YRZ,BR24L64F-WE2,LM74700QDDFRQ1,SIR680ADP-T1-RE3,SI3127DV-T1-GE3,SRF2012A-121YA,742792030,MAX491ESD+,DSPIC33EP256GM710-I/PT,V8PAM10HM3/I,PMEG2010ER-QX,MMFTP3401
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
РОХС:
YES
TPN7R506NH,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
ВГС (Макс):
±20V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Пакет устройств поставщика:
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1800 pF @ 30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
26A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 200µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 13A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:9320
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.42
2100
10000
0.41
4100
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.