Дистрибуция электронных компонентов
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Номер компонента:
TPN2010FNH,L1Q
Альтернативная модель:
TPN1110ENH,L1Q,MJD31CH-QJ,SK320B,SI3127DV-T1-GE3,BSZ42DN25NS3GATMA1,LT1210CR#PBF,A3950SEUTR-T,SIA456DJ-T1-GE3,150060RS75000,SI7922DN-T1-E3,BSS316NH6327XTSA1,PUMT1,115,BGM220PC22HNA2,MMPQ6700,FTSH-105-01-L-DV-K-P
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
РОХС:
YES
TPN2010FNH,L1Q Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
250 V
Пакет устройств поставщика:
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 200µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
5.6A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
198mOhm @ 2.8A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
600 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
700mW (Ta), 39W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2555
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.72
3600
10000
0.69
6900
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.