Дистрибуция электронных компонентов
PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Номер компонента:
PSMN8R5-108ESQ
Альтернативная модель:
Производитель:
NXP Semiconductors
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
РОХС:
YES
PSMN8R5-108ESQ Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 1mA
Пакет устройств поставщика:
I2PAK
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
100A (Tj)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
8.5mOhm @ 25A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
111 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
263W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5512 pF @ 50 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
108 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.