Дистрибуция электронных компонентов
MIEB101H1200EH
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Номер компонента:
MIEB101H1200EH
Альтернативная модель:
VS-GT75YF120UT,VS-GT75YF120NT,VS-GT50YF120NT,IM241S6T2BAKMA1,FP35R12KT4BPSA1,FP40R12KT3BPSA1,FF450R12KT4HOSA1,VS-GT55NA120UX,FS150R12KE3BOSA1,FF150R12RT4HOSA1,APT75GN120JDQ3
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
РОХС:
YES
MIEB101H1200EH Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
НТЦ-термистор:
No
Пакет/кейс:
E3
Пакет устройств поставщика:
E3
Конфигурация:
Full Bridge Inverter
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 100A
Ток-отсечка коллектора (макс.):
300 µA
Входная емкость (Cies) при Vce:
7.43 nF @ 25 V
Мощность - Макс.:
630 W
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
183 A
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.