Дистрибуция электронных компонентов
APTGT75A1202G
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
Номер компонента:
APTGT75A1202G
Альтернативная модель:
Производитель:
Microsemi Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
РОХС:
NO
APTGT75A1202G Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
НТЦ-термистор:
No
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
110 A
Мощность - Макс.:
357 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) при Vce:
5.34 nF @ 25 V
Конфигурация:
Half Bridge
Ток-отсечка коллектора (макс.):
50 µA
Пакет устройств поставщика:
SP2
Пакет/кейс:
SP2
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.