Дистрибуция электронных компонентов
RJL6013DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Номер компонента:
RJL6013DPE-00#J3
Альтернативная модель:
Производитель:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
РОХС:
YES
RJL6013DPE-00#J3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
ВГС (Макс):
±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
100W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
LDPAK
Пакет/кейс:
SC-83
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
11A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
810mOhm @ 5.5A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.