Дистрибуция электронных компонентов
PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
Номер компонента:
PMT200EN,115
Альтернативная модель:
PMT200EN,135
Производитель:
NXP Semiconductors
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
РОХС:
YES
PMT200EN,115 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс:
TO-261-4, TO-261AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.8A (Ta)
Пакет устройств поставщика:
SC-73
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
10 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
235mOhm @ 1.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
475 pF @ 80 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.