STS9P2UH7

Номер запчасти
STS9P2UH7
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Поставщик Устройство Корпус 8-SOIC
Тип полевого транзистора P-Channel
Рабочая температура 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Vgs (макс.) ±8V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22 nC @ 4.5 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.5V, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.7W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2390 pF @ 16 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу