STS3P6F6

Номер запчасти
STS3P6F6
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус 8-SOIC
Тип полевого транзистора P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6.4 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.7W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 340 pF @ 48 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3A (Tj)

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу