STP50N65DM6

Номер запчасти
STP50N65DM6
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 650V 33A TO220
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-220-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус TO-220
Vgs (макс.) ±25V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 33A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 250W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2300 pF @ 100 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.75V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 91mOhm @ 16.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 52.5 nC @ 10 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1000 USD $4.01 USD $4,010.00
Общая сумма: USD $4,010.00

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1000 $4.01 $4010