STP12N65M2

Номер запчасти
STP12N65M2
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание POWER MOSFET
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-220-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 8A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус TO-220
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (макс.) ±25V
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 0V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 85W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 16.7 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 535 pF @ 100 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу