STH110N10F7-6

Номер запчасти
STH110N10F7-6
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Рассеиваемая мощность (максимальная) 150W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 110A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 72 nC @ 10 V
Корпус TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-6
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5117 pF @ 50 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу