STD9HN65M2
| Номер запчасти |
STD9HN65M2
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK |
| Правила |
Свойства продукта
| Статус детали | Obsolete | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 5.5A (Tc) | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 60W (Tc) | |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) | |
| Поставщик Устройство Корпус | DPAK | |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (макс.) | ±25V | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 11.5 nC @ 10 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 325 pF @ 100 V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
