STD18N65M2-EP

Номер запчасти
STD18N65M2-EP
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Правила

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11A (Tc)
Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (макс.) ±25V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 110W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 700 pF @ 100 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 14.4 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 375mOhm @ 5.5A, 10V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу