STB50NE10T4
| Номер запчасти |
STB50NE10T4
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Статус детали | Obsolete | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (макс.) | ±20V | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 180W (Tc) | |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Рабочая температура | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 50A (Tc) | |
| Поставщик Устройство Корпус | D2PAK | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 25A, 10V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 166 nC @ 10 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6000 pF @ 25 V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
