STB50N65DM6

Номер запчасти
STB50N65DM6
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (макс.) ±25V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 33A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 250W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2300 pF @ 100 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.75V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 91mOhm @ 16.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 52.5 nC @ 10 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1000 USD $3.92 USD $3,920.00
Общая сумма: USD $3,920.00

Tape & Reel (TR)

Количество Стоимость единицы Цены
1000 $3.92 $3920