STB45N60DM6

Номер запчасти
STB45N60DM6
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание HV MOSFET MDMESH
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 44 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (макс.) ±25V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 210W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1920 pF @ 100 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.75V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1000 USD $3.47 USD $3,470.00
Общая сумма: USD $3,470.00

Bulk

Количество Стоимость единицы Цены
1000 $3.47 $3470