STB35N65DM2

Номер запчасти
STB35N65DM2
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 28A (Tc)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (макс.) ±25V
Поставщик Устройство Корпус D2PAK
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 54 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 210W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2400 pF @ 100 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V

Спотовые товары:1971

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $5.51 USD $5.51
Общая сумма: USD $5.51

Cut Tape (CT)

Количество Стоимость единицы Цены
1 $5.51 $5.51
10 $2.94 $29.4
100 $2.85 $285