STB30NM60ND

Номер запчасти
STB30NM60ND
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рассеиваемая мощность (максимальная) 190W (Tc)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (макс.) ±25V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус D2PAK
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 100 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2800 pF @ 50 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу