STB18NM60N

Номер запчасти
STB18NM60N
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 35 nC @ 10 V
Vgs (макс.) ±25V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 110W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1000 pF @ 50 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 285mOhm @ 6.5A, 10V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу