STB12N60DM2AG
| Номер запчасти |
STB12N60DM2AG
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | DISCRETE |
| Правила |
Свойства продукта
| Статус детали | Active | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V | |
| FET Особенности | - | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Класс | Automotive | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 10A (Tc) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263 (D2PAK) | |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (макс.) | ±25V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 614 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 125W |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
Bulk
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1000 | $1.52 | $1520 |
