STB11NM60-1
| Номер запчасти |
STB11NM60-1
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Статус детали | Obsolete | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 11A (Tc) | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 160W (Tc) | |
| Vgs (макс.) | ±30V | |
| Поставщик Устройство Корпус | I2PAK | |
| Корпус | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 250µA | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
