SCTWA50N120

Номер запчасти
SCTWA50N120
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 65A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.) +25V, -10V
Поставщик Устройство Корпус HiP247™
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 69mOhm @ 40A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 122 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1900 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 318W (Tc)

Спотовые товары:1924

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $31.10 USD $31.10
Общая сумма: USD $31.10

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $31.1 $31.1
10 $25.09 $250.9
25 $23.59 $589.75
100 $21.94 $2194
250 $21.15 $5287.5