SCTWA30N120

Номер запчасти
SCTWA30N120
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Рассеиваемая мощность (максимальная) 270W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 45A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.) +25V, -10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 105 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1700 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус HiP247™ Long Leads
Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1mA (Typ)

Спотовые товары:1894

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $27.71 USD $27.71
Общая сумма: USD $27.71

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $27.71 $27.71
10 $22.28 $222.8
30 $20.69 $620.7
120 $19.27 $2312.4
270 $18.67 $5040.9
510 $18.28 $9322.8