SCTWA20N120

Номер запчасти
SCTWA20N120
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 175W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.) +25V, -10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 45 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 650 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус HiP247™ Long Leads
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 239mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1mA (Typ)

Спотовые товары:2126

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $15.47 USD $15.47
Общая сумма: USD $15.47

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $15.47 $15.47
10 $12.2 $122
30 $11.25 $337.5
120 $10.39 $1246.8
270 $10.03 $2708.1
510 $9.8 $4998
1020 $9.59 $9781.8