SCTW60N120G2

Номер запчасти
SCTW60N120G2
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание DISCRETE
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 1mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
Поставщик Устройство Корпус HiP247™
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1969 pF @ 800 V
Vgs (макс.) +18V, -5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 94 nC @ 8 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 389W (Tc)

Спотовые товары:2199

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $20.38 USD $20.38
Общая сумма: USD $20.38

Bulk

Количество Стоимость единицы Цены
1 $20.38 $20.38
10 $14.53 $145.3
100 $11.27 $1127