SCTW40N120G2VAG

Номер запчасти
SCTW40N120G2VAG
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 33A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 290W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
Поставщик Устройство Корпус HiP247™
Vgs (макс.) +22V, -10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 63 nC @ 18 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 105mOhm @ 20A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1230 pF @ 800 V

Спотовые товары:2110

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $18.92 USD $18.92
Общая сумма: USD $18.92

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $18.92 $18.92
30 $11.73 $351.9
120 $10.27 $1232.4