SCTW40N120G2V
| Номер запчасти |
SCTW40N120G2V
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Тип монтажа | Through Hole | |
|---|---|---|
| Статус детали | Active | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Корпус | TO-247-3 | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 36A (Tc) | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 278W (Tc) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 61 nC @ 18 V | |
| Поставщик Устройство Корпус | HiP247™ | |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.9V @ 1mA | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1233 pF @ 800 V |
Спотовые товары:2122
Отправить можно сразу
Tube
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1 | $18.28 | $18.28 |
| 30 | $11.3 | $339 |
| 120 | $9.83 | $1179.6 |
