SCTW35N65G2VAG
| Номер запчасти |
SCTW35N65G2VAG
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Тип монтажа | Through Hole | |
|---|---|---|
| Статус детали | Active | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | Automotive | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Корпус | TO-247-3 | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 1mA | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 45A (Tc) | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 240W (Tc) | |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Поставщик Устройство Корпус | HiP247™ | |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V, 20V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1370 pF @ 400 V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
Tube
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1 | $15.97 | $15.97 |
| 30 | $9.79 | $293.7 |
| 120 | $9.5 | $1140 |
| 510 | $9.17 | $4676.7 |
