SCTW35N65G2V

Номер запчасти
SCTW35N65G2V
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 45A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 240W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус HiP247™
Vgs (макс.) +22V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V, 20V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 73 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1370 pF @ 400 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $15.60 USD $15.60
Общая сумма: USD $15.60

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $15.6 $15.6
30 $9.51 $285.3
120 $8.17 $980.4
510 $7.98 $4069.8