SCTH90N65G2V-7

Номер запчасти
SCTH90N65G2V-7
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 90A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 330W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
Vgs (макс.) +22V, -10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 157 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3300 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 26mOhm @ 50A, 18V
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7

Спотовые товары:1713

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $30.13 USD $30.13
Общая сумма: USD $30.13

Cut Tape (CT)

Количество Стоимость единицы Цены
1 $30.13 $30.13
10 $28.24 $282.4
100 $22.85 $2285