SCTH60N120G2-7

Номер запчасти
SCTH60N120G2-7
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 1mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 390W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V
Vgs (макс.) +22V, -10V
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 94 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1969 pF @ 800 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу