SCTH50N120-7

Номер запчасти
SCTH50N120-7
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Правила

Свойства продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Рассеиваемая мощность (максимальная) 270W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 65A
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 69mOhm @ 40A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 122 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1900 pF @ 400 V
Vgs (макс.) +22V, -10V
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
Vgs(th) (макс.) при Id 5.1V @ 1mA

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу