SCTH35N65G2V-7

Номер запчасти
SCTH35N65G2V-7
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 45A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 208W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.) +22V, -10V
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V, 20V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 73 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1370 pF @ 400 V

Спотовые товары:2994

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $14.37 USD $14.37
Общая сумма: USD $14.37

Cut Tape (CT)

Количество Стоимость единицы Цены
1 $14.37 $14.37
10 $10.04 $100.4
100 $8.79 $879