SCT30N120H

Номер запчасти
SCT30N120H
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1mA
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 40A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 270W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-2
Vgs (макс.) +25V, -10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 105 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1700 pF @ 400 V

Спотовые товары:1600

Отправить можно сразу