SCT20N120H

Номер запчасти
SCT20N120H
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Правила Лист данных

Свойства продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A (Tc)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (максимальная) 175W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-2
Vgs (макс.) +25V, -10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 45 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 650 pF @ 400 V

Спотовые товары:1615

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $10.19 USD $10.19
Общая сумма: USD $10.19

Cut Tape (CT)

Количество Стоимость единицы Цены
1 $10.19 $10.19
10 $7.93 $79.3
25 $7.36 $184
100 $6.74 $674
250 $6.45 $1612.5
500 $6.27 $3135