SCT10N120H
| Номер запчасти |
SCT10N120H
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 |
| Правила |
Свойства продукта
| Статус детали | Obsolete | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12A (Tc) | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 150W (Tc) | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.5V @ 250µA | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V | |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Поставщик Устройство Корпус | H2PAK-2 | |
| Vgs (макс.) | +25V, -10V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 22 nC @ 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 290 pF @ 400 V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
