SCT10N120

Номер запчасти
SCT10N120
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 12A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 150W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Корпус TO-247-3
Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.) +25V, -10V
Поставщик Устройство Корпус HiP247™
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 290 pF @ 400 V

Спотовые товары:1891

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $9.89 USD $9.89
Общая сумма: USD $9.89

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $9.89 $9.89
30 $5.8 $174
120 $4.9 $588
510 $4.4 $2244