SCT055TO65G3
| Номер запчасти |
SCT055TO65G3
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Статус детали | Active | |
|---|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tc) | |
| Рабочая температура | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 234W (Tc) | |
| Корпус | 8-PowerSFN | |
| Поставщик Устройство Корпус | TOLL (HV) | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 31 nC @ 18 V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 1mA | |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 15A, 18V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 687 pF @ 400 V |
Спотовые товары:1684
Отправить можно сразу
Cut Tape (CT)
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1 | $9.42 | $9.42 |
| 10 | $6.43 | $64.3 |
| 100 | $5.05 | $505 |
