SCT040W65G3-4AG

Номер запчасти
SCT040W65G3-4AG
Производитель STMicroelectronics
Прочие номера деталей
Описание AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Правила Лист данных

Свойства продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Рабочая температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 240W (Tc)
Корпус TO-247-4
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Устройство Корпус TO-247-4
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 1mA
Vgs (макс.) +18V, -5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 37.5 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 860 pF @ 400 V

Спотовые товары:1629

Отправить можно сразу
Количество Стоимость единицы Цены
1 USD $14.42 USD $14.42
Общая сумма: USD $14.42

Tube

Количество Стоимость единицы Цены
1 $14.42 $14.42
30 $9.45 $283.5
120 $8.66 $1039.2