SCT040W65G3-4
| Номер запчасти |
SCT040W65G3-4
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Тип монтажа | Through Hole | |
|---|---|---|
| Статус детали | Active | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tc) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 240W (Tc) | |
| Корпус | TO-247-4 | |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4 | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 1mA | |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 37.5 nC @ 18 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 860 pF @ 400 V |
Спотовые товары:1677
Отправить можно сразу
Tube
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1 | $13.57 | $13.57 |
| 30 | $9.47 | $284.1 |
| 120 | $8.25 | $990 |
| 510 | $6.66 | $3396.6 |
