SCT040W120G3-4
| Номер запчасти |
SCT040W120G3-4
|
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Прочие номера деталей | |
| Описание | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
| Правила | Лист данных |
Свойства продукта
| Тип монтажа | Through Hole | |
|---|---|---|
| Статус детали | Active | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| FET Особенности | - | |
| Класс | - | |
| Квалификация | - | |
| Рабочая температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 312W (Tc) | |
| Корпус | TO-247-4 | |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4 | |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V | |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V | |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 5mA | |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 16A, 18V | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 56 nC @ 18 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1329 pF @ 800 V |
Спотовые товары:1600
Отправить можно сразу
Tube
| Количество | Стоимость единицы | Цены |
|---|---|---|
| 1 | $17.33 | $17.33 |
| 30 | $10.66 | $319.8 |
| 120 | $9.2 | $1104 |
| 510 | $9.14 | $4661.4 |
